塑料电缆向高压等级发展，面临着局部高场强区域场致发射电子，引发电树枝而绝缘击穿的重大技术问题。国内外不少电缆技术专家正致力于高压塑料电缆绝缘结构中界面引发电树枝性能的研究。防发射屏蔽是这种研究中的一项专利技术，是目前研究复合介质抑制界面电树枝在电缆中应用的一项重要成果。这对于110kV以上高压塑料电力电缆具有十分重要的意义。

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防发射屏蔽层能有效地防止绝缘层中电场畸变导致电子的发射，控制电树枝的引发。电缆绝缘层中电场分布的均匀性与绝缘材料的介质常数ε、绝缘结构中介电常数的分布情况有很大关系。特别是中高压塑料电力电缆出现了不可缺少的内、外半导电屏蔽层后，又带来了新的问题，如果半导电界面不平整，半导电层有尖凸物、半导电层有凹陷、.或分阶式绝缘(接头部位多采用分阶绝缘)、复合绝缘界面有缺陷，都将严重恶化绝缘层中电场的均匀性。

根据电场知识，圆心电缆绝缘层中电场强度E可写成

式中U一额定电压;

r一绝缘层内任意点半径;

R一绝缘层外半径;

r₀一绝缘层内半径。

对于具有分阶绝缘的电缆绝缘层中，若其具有n层复合介质，第k层中的电场E,一般可表示为

式中rk.εk一第k层绝缘内半径和该层绝缘的相对介电常数。由上式可见，E是介电常数e的函数，随着e分布情况的改变，电场分布的均匀性也在变化。

防发射屏蔽层就是基于聚乙烯和交联聚乙烯的ε值较小(2.3)，而在半导电尖刺或半导电层表面可能混人的杂质尖刺处，这些尖刺的高场强区容易导致冷发射而引发树枝。若取一薄层介质(ε2.3)将内半导电层再屏蔽上一层，这时，尖刺周围以较大的e取代原先聚乙烯或交联聚乙烯较小的ε，使尖刺附近电场强度减弱，冷发射电子不易产生，从而改善树枝化特性，抑制了树枝的引发。

半导电层具有尖刺物时，有无防发射层时的恶化电场如图所示。