按图2-17所示尺寸,剥除铜屏蔽层、外半导电层。
(1)自冷缩管端口向上量取15mm长铜屏蔽层,其余铜屏蔽层去掉。
(2)自铜屏蔽断口向上量取15mm长半导电层,其余半导电层去掉。
(3)将绝缘表面用砂带打磨以去除吸附在绝缘表面的半导电粉尘,半导电层端口切削成约4mm的小斜坡并打磨光洁,与绝缘圆滑过渡。
(4)绕二层半导电带将铜屏蔽层与外半导电层之间的台阶盖住。
按图2-17所示尺寸,剥除铜屏蔽层、外半导电层。
(1)自冷缩管端口向上量取15mm长铜屏蔽层,其余铜屏蔽层去掉。
(2)自铜屏蔽断口向上量取15mm长半导电层,其余半导电层去掉。
(3)将绝缘表面用砂带打磨以去除吸附在绝缘表面的半导电粉尘,半导电层端口切削成约4mm的小斜坡并打磨光洁,与绝缘圆滑过渡。
(4)绕二层半导电带将铜屏蔽层与外半导电层之间的台阶盖住。